FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積

簡要描述：FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積：隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加，其制造設備也變得更大，需要越來越大的設備投資。SYSKEY針對中小尺寸的需求開發(fā)串集的PECVD 設備，提供非晶矽（a-Si），氧化矽（SiOx），氮氧化矽（SiON），氮化矽（SiNx）和多層膜沉積。

產(chǎn)品型號：
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時間：2024-07-10
訪問量：676

產(chǎn)品咨詢聯(lián)系我們

產(chǎn)品分類

Product Category

沉積系統(tǒng)

便攜式樣品傳送腔體激光沉積系統(tǒng) 原子層沉積設備

查看全部

原子層沉積和磁控濺射的區(qū)別看完本篇你就會對化學氣相沉積系統(tǒng)有更多了解場發(fā)射顯微鏡的威力：揭秘納米世界的鑰匙如何優(yōu)化無掩膜激光直寫的加工過程？感應耦合電漿蝕刻設備的操作原理及優(yōu)勢臺式薄膜探針反射儀的應用

詳細介紹

品牌	其他品牌	應用領域	環(huán)保,化工,電子/電池

FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積

隨著LCD面板和製造所需玻璃的尺寸的增加，其製造設備也變得更大，需要越來越大的設備投資。SYSKEY針對中小尺寸的需求開發(fā)串集的PECVD 設備，提供非晶矽（a-Si），氧化矽（SiOx），氮氧化矽（SiON），氮化矽（SiNx）和多層膜沉積。

FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積

應用領域
非晶矽前驅(qū)物（a-Si）。氮化矽 (SiNx)。氧化矽，矽烷基(SiOx)。氧化矽，TEOS (SiOx)。
配置和優(yōu)點	選件
客製化基板尺寸最大為550 x 650 mm2(玻璃)。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。每個製程腔內(nèi)最多可加裝7組氣體管線。遠程電漿進行腔體清潔。穩(wěn)定的溫度控制，可將基板加熱到380°C。	Cassette傳送站。 TEOS沉積製程。 OES、RGA或製程監(jiān)控的額外備用端口。